2016年11月17日,高通正式公布了骁龙835处理器。
骁龙835已经开始进行生产,2017年上半年正式出货。
功能特点
制程工艺
高通骁龙835芯片基于三星10nm制造工艺打造。10nm工艺相比14nm将使得芯片速度快27%,效率提升40%,高通骁龙835芯片面积将变得更小。
2016年10月,三星宣布率先在业界实现了10纳米 FinFET工艺的量产。与其上一代14纳米FinFET工艺相比,三星10纳米工艺可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上,同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。通过采用10纳米FinFET工艺,骁龙835处理器将具有更小的芯片尺寸,让OEM厂商能够在即将发布的产品中获得更多可用空间,以支持更大的电池或更轻薄的设计。制程工艺的提升与更先进的芯片设计相结合,预计将会提升电池续航。
核心
骁龙835的主频为1.9GHz+2.45GHz,并采用八核设计。骁龙835将采用10nm八核心设计,大小核均为Kryo280架构,大核心频率2.45GHz,大核心簇带有2MB的L2 Cache,小核心频率1.9GHz,小核心簇带有1MB的L2 Cache,GPU为Adreno 540@670MHz,相比上代性能提升25%,支持4K屏、UFS 2.1、双摄以及LPDDR4x四通道内存,整合了Cat.16基带